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金屬氧化場效應(yīng)晶體管
高壓 MOSFET (≥ 400V)

高壓 MOSFET (≥ 400V)

高壓技術(shù)平臺分「平面」及「超結(jié)」兩個主流,后者又再分多層外延及深溝槽兩類。

因應(yīng)快充充電、AC / DC 電源、電機驅(qū)動、電源逆變等應(yīng)用,捷捷微電 提供下面列表里的高壓 N 溝道 MOSFETs 予電路工程師選用。
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