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金屬氧化場效應晶體管
中低壓 MOSFET
低壓 P-ch (-30V ~ -5V)

低壓 P-ch (-30V ~ -5V)

P 溝道 MOSFET 采用空穴作為載流子,需要柵極到源極的負電才能導通。因此,它是高邊開關的優(yōu)先選擇;而且柵極驅動簡單,可降低整體終端成本。

因應消費電子、工業(yè)及電機控制、通訊等終端里的低壓電池管理系統(tǒng) / 充電器、防反接保護、負載開關、DC-DC 轉換器等諸多應用,捷捷微電 提供以下列表里的低壓 P 溝道 MOSFETs (溝槽 / 屏蔽柵型溝槽技術平臺) 予電路設計工程師選用。
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