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瞬態(tài)抑制型雙向可控硅

瞬態(tài)抑制型雙向可控硅

瞬態(tài)抑制型雙向可控硅擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強(qiáng)。可以承受較大電流的沖擊,較好的用于電感型負(fù)載,電磁干擾較嚴(yán)重的場合。
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